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L'architecture unique et innovante de la mémoire flash V-NAND 3D de Samsung est une avancée technologique permettant de dépasser les limites de densité, les performances et l'endurance de l'architecture NAND plane traditionnelle. Fabriquée en empilant 32 couches de cellules verticalement au lieu de réduire la taille des cellules et de s'inscrire dans un espace horizontal fixe, la V-NAND 3D permet d'augmenter la densité ainsi que les performances tout en limitant son empreinte.
Grâce à la technologie TurboWrite de Samsung, vous obtenez des performances optimales en matière de lecture et d'écriture et par conséquent, vous maximisez votre utilisation informatique au quotidien. En plus d'une expérience utilisateur 10% supérieure à celle du 840 EVO*, vous obtenez également des vitesses d'écriture aléatoires jusqu'à 1.9 fois plus rapides. Ceci est aussi valable pour les modèles 120 / 250 Go**. Le 850 EVO offre les meilleures performances en ce qui concerne les vitesses de lecture (540 Mo/s) et d'écriture (520 Mo/s) séquentielles. De plus, vous obtenez des performances aléatoires optimisées pour toutes les profondeurs de file d'attente en cas d'utilisation d'un PC client. *PCMark 7 (250 Go) : 6700 (840 EVO) > 7600 (850 EVO) **Écriture aléatoire (profondeur de file d'attente : 32, 120 Go) : 36 000 IOPS (840 EVO) > 88 000 IOPS (850 EVO).
Accélérez vos performances à tout moment avec le logiciel Samsung Magician qui offre le RAPID mode pour un traitement des données 2 fois plus rapides* au niveau du système. Pour ce faire, celui-ci utilise la mémoire libre du PC (DRAM) comme stockage du cache. Tandis que l'utilisation de la mémoire maximale en RAPID mode était de 1 Go dans la version précédente du 840 EVO, le nouveau Magician la fait passer à 4 Go dans le 850 EVO grâce à l'application d'une mémoire DRAM de 16 Go. Vous doublez également vos performances* dans toutes les profondeurs de file d'attente aléatoires. *PCMark 7 RAW (250 Go) : 7500 > 15 000 (RAPID mode)
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